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奈米微粒暴露改善技術探討ILOSH111-H601

奈米微粒暴露改善技術探討ILOSH111-H601

奈米微粒逸散研究發現,當模擬危害源位於氣櫃內部中央,可變風量(VAV)氣櫃面速度下降及拉門開度提高時,奈米微粒逸散情形增加,雖然濃度不高,但部分時間可測得較明顯逸散情形。氣簾式(AC)氣櫃拉門開度由...more

勞動部及職業安全衛生研究所

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